RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сравнить
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
7.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
36
Около -44% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
25
Скорость чтения, Гб/сек
15.8
14.2
Скорость записи, Гб/сек
11.8
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2497
2104
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link