Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Note globale
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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    15.8 left arrow 14.2
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    11.8 left arrow 7.4
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    21300 left arrow 19200
    Autour de 1.11% bande passante supérieure
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    25 left arrow 36
    Autour de -44% latence réduite

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    36 left arrow 25
  • Vitesse de lecture, GB/s
    15.8 left arrow 14.2
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    11.8 left arrow 7.4
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    21300 left arrow 19200
Other
  • Description
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Timings / Vitesse d'horloge
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2497 left arrow 2104
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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