Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    15.8 left arrow 14.2
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    11.8 left arrow 7.4
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 19200
    Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    25 left arrow 36
    Wokół strony -44% niższe opóźnienia

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR4 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    36 left arrow 25
  • Prędkość odczytu, GB/s
    15.8 left arrow 14.2
  • Prędkość zapisu, GB/s
    11.8 left arrow 7.4
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    21300 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Taktowanie / szybkość zegara
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2497 left arrow 2104
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania