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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
50
Por volta de 44% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.9
10.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.3
7.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
50
Velocidade de leitura, GB/s
10.9
10.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.1
7.3
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1668
2248
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
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