RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB против Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
50
Около 44% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10.9
10.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.3
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
50
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
10.2
Скорость записи, Гб/сек
7.1
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1668
2248
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-039.A00LF 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Kingston 9905428-193.A00LF 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link