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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB vs SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
41
Por volta de 32% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.5
10.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
7.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
12800
10600
Por volta de 1.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
28
41
Velocidade de leitura, GB/s
10.5
10.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
7.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
12800
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1570
1484
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB Comparações de RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
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