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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Pontuação geral
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
34
Por volta de 24% menor latência
Razões a considerar
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
7.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
34
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.4
13.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1678
3425
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
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