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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Pontuação geral
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
29
Por volta de 10% menor latência
Razões a considerar
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.9
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.9
7.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
29
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
18.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.4
15.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1678
3744
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
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Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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