Comparação RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

Pontuação geral

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

28 65

Por volta de -132% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

15.7 1,592.0

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

17000 5300

Por volta de 3.21 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

572 3601

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns