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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
13.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
65
Por volta de -71% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.0
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
38
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
13.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
10.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
2439
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
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Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
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