RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
65
Около -71% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.0
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
38
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
13.4
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
10.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2439
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Inmos + 256MB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link