RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
65
166
Por volta de 61% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
166
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
8.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
1107
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link