RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
65
Por volta de -67% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.3
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
39
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
14.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
11.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
2810
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link