RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
65
Около -67% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.3
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
39
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
14.0
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2810
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link