RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
65
Por volta de -124% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.2
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
29
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
18.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
14.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
3563
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link