RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
65
Wokół strony -124% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3563
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link