RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
19.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
65
Por volta de -225% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.0
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
20
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
19.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
16.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
3465
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB Comparações de RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link