RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
65
Около -225% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.0
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
20
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
19.7
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3465
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB Сравнения RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link