RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
20.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
65
Por volta de -225% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
19.2
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
20
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
20.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
19.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
4235
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link