RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
20.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
65
Около -225% меньшая задержка
Выше скорость записи
19.2
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
20
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
20.7
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
19.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
4235
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
G Skill Intl F3-1600C9-8GAR 8GB
G Skill Intl F3-1600C9-8GXM 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
KingSpec KingSpec 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link