RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
65
Por volta de -124% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.0
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
29
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
18.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
3872
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link