RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
22.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
16
65
Por volta de -306% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
21.2
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
16
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
22.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
21.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
3952
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB Comparações de RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link