RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
65
Por volta de -124% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
29
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
12.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
3208
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link