RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Punteggio complessivo
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
65
Intorno -124% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
1,592.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
29
Velocità di lettura, GB/s
3,580.8
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,592.0
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
572
3208
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link