RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
65
Por volta de -117% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.6
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
30
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
7.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
2208
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB Comparações de RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Kingston 99U5471-039.A00LF 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link