RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
65
Около -117% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.6
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
15.5
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2208
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link