RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
65
67
Por volta de 3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
67
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
8.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
1798
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Mushkin 991586 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link