RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
65
67
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
67
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
1798
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MN5 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link