RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
65
Por volta de -124% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
29
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
11.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
3098
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link