RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
65
Wokół strony -124% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3098
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link