RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9LZ 2GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology 78.A1GA0.9LZ 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Apacer Technology 78.A1GA0.9LZ 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
59
Por volta de 59% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3% maior largura de banda
Razões a considerar
Apacer Technology 78.A1GA0.9LZ 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,449.4
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9LZ 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR2
Latência em PassMark, ns
24
59
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
4,467.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
2,449.4
Largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
712
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9LZ 2GB Comparações de RAM
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link