RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9LZ 2GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology 78.A1GA0.9LZ 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Apacer Technology 78.A1GA0.9LZ 2GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
59
Autour de 59% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Apacer Technology 78.A1GA0.9LZ 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,449.4
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9LZ 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR2
Latence dans PassMark, ns
24
59
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
4,467.7
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
2,449.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
6400
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
712
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9LZ 2GB Comparaison des RAM
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.A1GA0.9LZ 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link