RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9LZ 2GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology 78.A1GA0.9LZ 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Apacer Technology 78.A1GA0.9LZ 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
59
Intorno 59% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Apacer Technology 78.A1GA0.9LZ 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,449.4
12.5
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9LZ 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR2
Latenza in PassMark, ns
24
59
Velocità di lettura, GB/s
16.0
4,467.7
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
2,449.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
6400
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
712
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9LZ 2GB Confronto tra le RAM
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link