RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
26
Por volta de 8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
14.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
11.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
26
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
14.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
11.1
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2646
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link