RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2646
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link