RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
32
Por volta de 25% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.3
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
32
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
18.3
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
12.7
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2858
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link