RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2858
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link