RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
15.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
24
Por volta de -9% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
22
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
7.8
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2493
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston HP687515-H66-MCN 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link