RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
24
Около -9% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
22
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2493
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link