RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
24
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
22
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2493
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link