RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
64
Por volta de 63% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
8.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.6
16
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
64
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
8.8
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2065
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
‹
›
Relatar um erro
×
Bug description
Source link