RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
64
Около 63% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
8.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
64
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2065
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M393B2G70DB0-CMA 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link