RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
40
Por volta de 40% menor latência
Razões a considerar
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.6
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.4
12.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
40
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
14.4
Largura de banda de memória, mbps
19200
25600
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3038
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link