RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9905700-072.A01G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
40
Около 40% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.4
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
40
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3038
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link