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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Pontuação geral
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
13.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
69
Por volta de -146% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
1,857.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
28
Velocidade de leitura, GB/s
4,217.2
13.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,857.7
10.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
668
2588
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparações de RAM
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Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
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Kingston 9905712-010.A00G 16GB
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