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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
69
左右 -146% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.3
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
28
读取速度,GB/s
4,217.2
13.4
写入速度,GB/s
1,857.7
10.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2588
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
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