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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Puntuación global
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
69
En -146% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
1,857.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
28
Velocidad de lectura, GB/s
4,217.2
13.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,857.7
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
2588
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
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Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
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