Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Pontuação geral
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    24 left arrow 31
    Por volta de 23% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    16.6 left arrow 16
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    21300 left arrow 19200
    Por volta de 1.11 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    24 left arrow 31
  • Velocidade de leitura, GB/s
    16.0 left arrow 16.6
  • Velocidade de escrita, GB/s
    12.5 left arrow 12.5
  • Largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 21300
Other
  • Descrição
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Tempos / Velocidade do relógio
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2925 left arrow 2605
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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