RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
35
Por volta de 31% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
15
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
12.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
35
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
12.0
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2654
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link