RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
12.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2654
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link